Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры

Решение контрольной работы по элементной базе радиоэлектронной аппаратуры

1

17

Сопротивление нагрузки Rн ……………………………… 1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно - ёмкостной связью с нагрузкой.

Биполярный транзистор ГТ310Б.

Краткая словесная характеристика:

Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ѓ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более 3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 - 1000 Гц 60 - 180

Модуль коэффициента передачи тока H21э при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 20 МГц не менее 8

Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ѓ = 5 МГц не более 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА 38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ѓ = 50 - 1000 Гц не более 3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ѓ = 5 МГц не более 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер: при Rбэ= 10 кОм 10В при Rбэ= 200 кОм 6 В

Постоянное напряжение коллектор- база 12 В

Постоянный ток коллектора 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 - 308 К 20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда 2 К/мВт

Температура перехода 348 К

Температура окружающей среды От 233 до 328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 - 328 К определяется по формуле:

PК.макс= ( 348 - Т )/ 2

Входные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Выходные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Нагрузочная прямая по постоянному току.

Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

при Iк= 0, Uкэ= Еп = 9 В, и при Uкэ= 0, Iк= Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА

Параметры режима покоя (рабочей точки А):

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В, Iб0= 30 мкА, Uбэ0= 0,28 В

Величина сопротивления Rб:

Определим H-параметры в рабочей точке.

ДUкэ

ДUбэ

ДIк0= 1,1 мА, ДIб0 = 10 мкА, ДUбэ = 0,014 В, ДIб = 20 мкА, ДUкэ= 4 В, ДIк= 0,3 мА

H-параметры:

Определим G - параметры.

Величины G-параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:

G-параметр:

G11э= 1,4 мСм, G12э= - 0,4*10 -6

G21э= 0,15 , G22э= 4,1*10 -3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.

Схема Джиаколетто - физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:

Определим граничные и предельные частоты транзистора.

Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:

Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи:

Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:

Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

Iк0= 3 мА, Uкэ0= 4,2 В и точку с координатами:

Iк= 0, Uкэ= Uкэ0+ Iк0*R~= 4,2 + 3*10 -3 * 847 = 6,7 В

Определим динамические коэффициенты усиления.

ДUкэ

ДUбэ

ДIк= 2,2 мА, ДUкэ= 1,9 В, ДIб = 20 мкА, ДUбэ = 0,014 В

Динамические коэффициенты усиления по току КI и напряжению

КU определяются соотношениями:

Выводы:

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.

Библиографический список.

“Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г.

Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г.

Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г.

Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г.